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簡(jiǎn)要描述：CVD系統是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應，從而實(shí)現薄膜材料生長(cháng)的一種新的制備技術(shù)。通過(guò)反應氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式,低溫熱等離子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡(jiǎn)單。
產(chǎn)品型號：BTF-1200C-II-PECVD廠(chǎng)商性質(zhì)：生產(chǎn)廠(chǎng)家更新時(shí)間：2021-10-22訪(fǎng) 問(wèn) 量：1832詳細介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 價(jià)格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 儀器種類(lèi) | 管式爐 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國產(chǎn) |
| 應用領(lǐng)域 | 能源,建材,電氣,綜合 |
CVD系統配有前端預加熱爐，輔助固態(tài)源蒸發(fā)，后端為單溫區加熱爐 ，溫度控制精確，操作簡(jiǎn)便，對于氣相沉積，二維材料，等離子處理生長(cháng)工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實(shí)驗。
1.與傳統CVD系統比較，生長(cháng)溫度更低。
2.使用滑軌爐實(shí)現快速升溫和降溫。
3.設備*的技術(shù)使得整管輝光均勻等效，均勻生長(cháng)
1.加熱系統
| 最高溫度 | 1200℃ |
| 使用溫度 | ≤1100℃ |
| 爐膛有效尺寸 | Φ50mm（爐管直徑可根據實(shí)際需要定制） |
| 爐膛材料 | 氧化鋁、高溫纖維制品 |
| 熱電偶類(lèi)型 | K型熱電偶 |
| 控溫精度 | ±1℃ |
| 控溫方式 | 30段可編程控溫，PID參數自整定 |
| 加熱長(cháng)度 | 200+200mm |
| 恒溫長(cháng)度 | 100+100mm |
| 加熱原件 | 電阻絲 |
| 供電電源 | 單相，220V，50Hz |
2、預熱系統系統
| 最高溫度 | 400℃ |
| 爐膛有效尺寸 | Φ50mm（爐管直徑可根據實(shí)際需要定制） |
| 爐膛材料 | 氧化鋁、高溫纖維制品 |
| 熱電偶類(lèi)型 | K型熱電偶 |
| 控溫精度 | ±1℃ |
| 控溫方式 | 30段可編程控溫，PID參數自整定 |
| 加熱長(cháng)度 | 100mm |
| 加熱原件 | 電阻絲 |
| 額定功率 | 800W |
3、PE系統
| 功率輸出范圍 | 0W~500W |
| 最大反射功率 | 100W |
| 射頻輸出接口 | 50 Ω, N-type, female |
| 功率穩定度 | ≤5W |
| 諧波分量 | ≤-50dbc |
| 供電電壓 | 單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ |
| 整機效率 | >=70% |
| 功率因素 | >=90% |
| 冷卻方式 | 強制風(fēng)冷 |
4、三路質(zhì)子流量控制系統
| 連接頭類(lèi)型 | 雙卡套不銹鋼接頭 |
| 標準量程（N2) | 50sccm，100sccm、500sccm（可根據用戶(hù)要求定制） |
| 準確度 | ±1.5%F.S |
| 線(xiàn)性 | ±1%F.S |
| 重復精度 | ±0.2%F.S |
| 響應時(shí)間 | 氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec |
| 工作壓差范圍 | 0.1～0.5 MPa |
| 最大壓力 | 3MPa |
| 接口 | Φ6,1/4'' |
| 顯示 | 4位數字顯示 |
| 工作環(huán)境溫度 | 5~45高純氣體 |
| 壓力真空表 | －0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格 |
| 截止閥 | Φ6 |
| 內外雙拋不銹鋼管 | Φ6 |
5、低真空機組
| 空氣相對濕度 | ≤85% |
| 工作環(huán)境 | 5℃～40℃ |
| 工作電電壓 | 280V |
| 抽氣速率 | 32m³/h |
| 極限真空 | 5X10-1Pa（空載冷態(tài)） |
| 工作壓力范圍 | 1.01325X105～1.33X10-2Pa |
| 耐壓值 | 0.03MPa |
| 進(jìn)氣口口徑 | KF40 |
| 排氣口口徑 | KF40 |
| 連接方式 | 采用波紋管，手動(dòng)擋板閥與波紋管相連 |
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